Fabrication method of thick bottom oxide in deep trench of metal oxide semiconductor field effect transistors

WO2013187751 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: Mimos, Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013187751
Aktenzeichen: EP13747872
Anmeldetag: 27. Mai 2013
Veröffentlichung: 19. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mimos, Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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