Improved bit line bl isolation scheme during erase operation for non-volatile storage

WO2013188019 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013188019
Aktenzeichen
EP13724969
Anmeldetag
6. Mai 2013
Veröffentlichung
19. Dezember 2013
Rechtsraum
WO
IPC
G11C7/12G11C16/14G11C16/06G11C16/26G11C16/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SanDisk Technologies Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

1.388 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen