Apparatuses and methods to modify pillar potential
WO2013188387
Art A2
19. Dezember 2013
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013188387
- Aktenzeichen
- EP13804017
- Anmeldetag
- 11. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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