Architecture for 3-d nand memory

WO2013188399 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013188399
Aktenzeichen: EP13804820
Anmeldetag: 11. Juni 2013
Veröffentlichung: 19. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C5/02G11C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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