Manufacturing method for amorphous silicon flat panel x-ray sensor

WO2013189139 Art A1 27. Dezember 2013

Anmelder: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013189139
Aktenzeichen: EP12879441
Anmeldetag: 29. Oktober 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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