Method for production of semiconductor device, semiconductor device, and production system for semiconductor device

WO2013190812 Art A1 27. Dezember 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013190812
Aktenzeichen: EP13807429
Anmeldetag: 13. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/20G03F7/26G03F7/38G03F7/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von