Method for manufacturing thin film transistor

WO2013190992 Art A1 27. Dezember 2013

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013190992
Aktenzeichen: EP13806950
Anmeldetag: 4. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G01T7/00G02F1/1368G09F9/30H01L21/336H01L27/144H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

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