Silicon-containing resist underlayer film-forming composition having sulfone structure and amine structure

WO2013191203 Art A1 27. Dezember 2013

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013191203
Aktenzeichen: EP13807496
Anmeldetag: 19. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C07F7/18C08G77/28G03F7/11H01L21/027H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik Organische Chemie

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