Sputtering target and method for using the same

WO2013191266 Art A1 27. Dezember 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013191266
Aktenzeichen: EP13806257
Anmeldetag: 14. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23C14/08G02F1/1368H01L21/336H01L21/8242H01L21/8244H01L27/10H01L27/105H01L27/108H01L27/11H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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