High Density Aligned Silicon Nanowire

WO2013192623 Art A2 27. Dezember 2013

Anmelder: Northeastern University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013192623
Aktenzeichen: EP13807280
Anmeldetag: 24. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northeastern University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northeastern University (Boston)

Northeastern University ist eine private Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Boston, USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt um Metallurgie und Halbleiterbauelemente. Anmeldungen sind seit 2002 belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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