Verfahren zur Abscheidung einer Elektrophoretisch Abgeschiedenen Partikulären Schicht, Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Optisches Element
WO2014001149
Art A1
3. Januar 2014
Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014001149
- Aktenzeichen
- EP13729383
- Anmeldetag
- 18. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors Gmbh
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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