Method for producing composite structure with metal/metal bonding

WO2014001868 Art A1 3. Januar 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014001868
Aktenzeichen: EP13735406
Anmeldetag: 5. Juni 2013
Veröffentlichung: 3. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von