Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2014002672 Art A1 3. Januar 2014

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014002672
Aktenzeichen: EP13809550
Anmeldetag: 29. Mai 2013
Veröffentlichung: 3. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/316H01L21/338H01L21/768H01L23/532H01L29/778H01L29/812H01L29/861H01L29/868H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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