Method for producing semiconductor device

WO2014003056 Art A1 3. Januar 2014

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014003056
Aktenzeichen
EP13809693
Anmeldetag
26. Juni 2013
Veröffentlichung
3. Januar 2014
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/304C09J7/00C09J11/04C09J179/08H01L21/301H01L21/683
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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