Electrode structure for nitride semiconductor device, and nitride semiconductor field effect transistor

WO2014003058 Art A1 3. Januar 2014

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014003058
Aktenzeichen: EP13810550
Anmeldetag: 26. Juni 2013
Veröffentlichung: 3. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/336H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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