Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern, process for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
WO2014003207
Art A1
3. Januar 2014
Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014003207
- Aktenzeichen
- EP13810120
- Anmeldetag
- 27. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004G03F7/038G03F7/039H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fujifilm Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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