Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication
WO2014004261
Art A1
3. Januar 2014
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014004261
- Aktenzeichen
- EP13808850
- Anmeldetag
- 20. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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