Bipolar Transistor On High-Resistivity Substrate

WO2014004535 Art A1 3. Januar 2014

Anmelder: Skyworks Solutions, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014004535
Aktenzeichen: EP13808986
Anmeldetag: 25. Juni 2013
Veröffentlichung: 3. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Skyworks Solutions, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Skyworks Solutions, Inc.

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien, spezialisiert auf HF-Chips und Analog-Halbleiter für Mobilfunk- und Kommunikationstechnik. Zahlreiche Patente im Bereich Hochfrequenztechnik und drahtlose Kommunikation.

478 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von