Method for producing zinc oxide thin film, method for manufacturing thin film transistor, zinc oxide thin film, thin film transistor, and transparent oxide wiring line

WO2014007250 Art A1 9. Januar 2014

Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014007250
Aktenzeichen: EP13812980
Anmeldetag: 2. Juli 2013
Veröffentlichung: 9. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C25D9/04C01G9/02H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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