Nitride group semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

WO2014007419 Art A1 9. Januar 2014

Anmelder: Korea Electronics Technology Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014007419
Aktenzeichen: EP12880387
Anmeldetag: 7. August 2012
Veröffentlichung: 9. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/36H01L33/12H01L33/32H01L33/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Electronics Technology Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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