Nonvolatile Charge Trap Memory Device Having A Deuterated Layer in A Multy-Layer Charge-Trapping Region

WO2014008157 Art A1 9. Januar 2014

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation, Levy, Sagy, Jenne, Fredrick, Ramkumar, Krishnaswamy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014008157
Aktenzeichen: EP13812767
Anmeldetag: 1. Juli 2013
Veröffentlichung: 9. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Cypress Semiconductor Corporation
Levy, Sagy
Jenne, Fredrick
Ramkumar, Krishnaswamy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

561 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von