Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device

WO2014008161 Art A1 9. Januar 2014

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014008161
Aktenzeichen: EP13813881
Anmeldetag: 1. Juli 2013
Veröffentlichung: 9. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/336H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cypress Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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