Preparation method of low dielectric material with array holes
WO2014008744
Art A1
16. Januar 2014
Anmelder: Soochow University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014008744
- Aktenzeichen
- EP12880884
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soochow University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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