Mosfet having 3d-structure and manufacturing method for same
WO2014009991
Art A1
16. Januar 2014
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014009991
- Aktenzeichen
- EP12880815
- Anmeldetag
- 9. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.