Etching apparatus and etching method technical field

WO2014010751 Art A1 16. Januar 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited, University of Hyogo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014010751
Aktenzeichen: EP13815997
Anmeldetag: 10. Juli 2013
Veröffentlichung: 16. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01J37/305H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
University of Hyogo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von