Three dimensional nand device and method of charge trap layer separation and floating gate formation in the nand device

WO2014011415 Art A1 16. Januar 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014011415
Aktenzeichen: EP13734637
Anmeldetag: 28. Juni 2013
Veröffentlichung: 16. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/28H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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