Strain Engineered Band Gaps

WO2014012024 Art A2 16. Januar 2014

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology, Peking University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014012024
Aktenzeichen: EP13817547
Anmeldetag: 12. Juli 2013
Veröffentlichung: 16. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0352

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Massachusetts Institute of Technology
Peking University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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