Testing structure for transistor properties and testing method using same

WO2014012306 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., Hefei BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014012306
Aktenzeichen: EP12881225
Anmeldetag: 31. Oktober 2012
Veröffentlichung: 23. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

22.025 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von