Manufacturing method for dmos semiconductor device

WO2014012427 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014012427
Aktenzeichen
EP13820419
Anmeldetag
30. Juni 2013
Veröffentlichung
23. Januar 2014
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen