Semiconductor device

WO2014013581 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014013581
Aktenzeichen: EP12881152
Anmeldetag: 19. Juli 2012
Veröffentlichung: 23. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L21/3205H01L21/60H01L21/768H01L23/12H01L23/522H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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