Sputtering target, oxide semiconductor thin film, and method for producing oxide semiconductor thin film

WO2014013728 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014013728
Aktenzeichen: EP13819489
Anmeldetag: 17. Juli 2013
Veröffentlichung: 23. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/00C04B35/453C23C14/08G02F1/1368H01L21/336H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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