Semiconductor device and production method for semiconductor device
WO2014013821
Art A1
23. Januar 2014
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014013821
- Aktenzeichen
- EP13820270
- Anmeldetag
- 13. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/739H01L21/336H01L21/76H01L29/06H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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