Passivation-layer-forming composition, semiconductor substrate having passivation layer, method for manufacturing semiconductor substrate having passivation layer, solar-cell element, method for manufacturing solar-cell element, and solar cell
WO2014014108
Art A1
23. Januar 2014
Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014014108
- Aktenzeichen
- EP13819930
- Anmeldetag
- 19. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316C09K3/00H01L21/312H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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