Masked etch-back method and process for fabrication of selective emitter silicon wafer solar cells
WO2014014420
Art A1
23. Januar 2014
Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014014420
- Aktenzeichen
- EP13820679
- Anmeldetag
- 18. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3213C09K13/02H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University of Singapore
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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