Method of reducing formation of sige abnormal growths on polycrystalline electrodes for strained-channel pmos transistors

WO2014014802 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014014802
Aktenzeichen: EP13819482
Anmeldetag: 15. Juli 2013
Veröffentlichung: 23. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.297 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von