Spacer shaper formation with conformal dielectric film for void free pre-metal dielectric layer gap fill

WO2014014809 Art A1 23. Januar 2014

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014014809
Aktenzeichen: EP13820260
Anmeldetag: 15. Juli 2013
Veröffentlichung: 23. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/31H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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