Graphene transistor and manufacturing method therefor

WO2014017592 Art A1 30. Januar 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014017592
Aktenzeichen: EP13822649
Anmeldetag: 25. Juli 2013
Veröffentlichung: 30. Januar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L29/06H01L51/05H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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