Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
WO2014019789
Art A1
6. Februar 2014
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014019789
- Aktenzeichen
- EP13732945
- Anmeldetag
- 1. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B13/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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