Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode

WO2014019986 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014019986
Aktenzeichen: EP13742449
Anmeldetag: 29. Juli 2013
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/028H01S5/10H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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