Single crystal silicon carbide substrate and method for manufacturing same

WO2014020694 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014020694
Aktenzeichen: EP12882283
Anmeldetag: 31. Juli 2012
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/04H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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