Method for manufacturing composite substrate and method for manufacturing semiconductor crystal layer formation substrate

WO2014020906 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: Sumitomo Chemical Company Limited, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014020906
Aktenzeichen: EP13825303
Anmeldetag: 30. Juli 2013
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company Limited
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von