Nitride semiconductor element structure and method for producing same

WO2014021259 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014021259
Aktenzeichen: EP13824878
Anmeldetag: 29. Juli 2013
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B25/18C30B29/38H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L31/10H01L33/22H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von