Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

WO2014021365 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science, Central Research Institute of Electric Power Industry 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014021365
Aktenzeichen: EP13825369
Anmeldetag: 31. Juli 2013
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C30B25/20C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute Of Advanced Industrial Science
Central Research Institute of Electric Power Industry
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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