Anisotropic Surface Energy Modulation By Ion Implantation

WO2014022180 Art A1 6. Februar 2014

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014022180
Aktenzeichen: EP13745304
Anmeldetag: 25. Juli 2013
Veröffentlichung: 6. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/48H01J37/317H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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