Method for producing semiconductor device

WO2014024611 Art A1 13. Februar 2014

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014024611
Aktenzeichen: EP13827166
Anmeldetag: 5. Juli 2013
Veröffentlichung: 13. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/336H01L25/065H01L25/07H01L25/18H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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