Multi-layer film etching method and plasma processing apparatus

WO2014024733 Art A1 13. Februar 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014024733
Aktenzeichen: EP13828539
Anmeldetag: 30. Juli 2013
Veröffentlichung: 13. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/3213H01L21/336H01L21/768H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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