Semiconductor device and method for fabricating the same

WO2014025002 Art A1 13. Februar 2014

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014025002
Aktenzeichen: EP13828689
Anmeldetag: 1. August 2013
Veröffentlichung: 13. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/363H01L21/8234H01L21/8242H01L21/8247H01L27/08H01L27/088H01L27/108H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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