Sputtering target for forming transparent oxide film and method for producing same
WO2014025017
Art A1
13. Februar 2014
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014025017
- Aktenzeichen
- EP13827513
- Anmeldetag
- 9. August 2013
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C04B35/16C04B35/453G11B7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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