Anti-radiation complementary metal oxide semiconductor (cmos) device and preparation method thereof

WO2014026497 Art A1 20. Februar 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014026497
Aktenzeichen: EP13829097
Anmeldetag: 5. Juni 2013
Veröffentlichung: 20. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/092H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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