Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Laserelements und Halbleiter-Laserelement

WO2014026951 Art A1 20. Februar 2014

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014026951
Aktenzeichen: EP13748034
Anmeldetag: 12. August 2013
Veröffentlichung: 20. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/02H01S5/022

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.304 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von